英偉達正式公布面向下一代AI數(shù)據(jù)中心的溫水液冷技術(shù)路線：在Rubin架構(gòu)平臺中，將全面采用Zui高溫度達45°C的水-丙二醇混合冷卻液，在密閉管路內(nèi)循環(huán)，直接接觸GPU吸熱后經(jīng)干式冷卻器散熱。該方案并非簡單提高進水溫度，而是對GPU封裝、導熱界面材料、冷板結(jié)構(gòu)、服務器內(nèi)部流道、CDU（冷卻分配單元）及外部散熱設備進行全棧協(xié)同設計，旨在緩解全球AI基建爆發(fā)引發(fā)的水資源爭議。

當前主流數(shù)據(jù)中心普遍依賴冷卻塔蒸發(fā)散熱，每兆瓦IT負載年均耗水約100萬升，且需持續(xù)補入新水——這在美國內(nèi)華達州、智利阿塔卡馬、中東等地已觸發(fā)地方政府限水令與社區(qū)抗議。而英偉達新方案因冷卻液全程封閉循環(huán)，理論上可將補水需求壓縮至接近零，僅需定期補充微量揮發(fā)損失。其核心突破在于放棄傳統(tǒng)‘低溫換熱’邏輯，轉(zhuǎn)而通過提升冷卻液溫度換取系統(tǒng)整體水效優(yōu)化：不再依賴大型冷水機組制造7–12°C冷凍水，也規(guī)避了冷卻塔蒸發(fā)環(huán)節(jié)，從而同步削減電力與水資源消耗。

但45°C并非技術(shù)上限的妥協(xié)，而是系統(tǒng)再設計的起點。測試表明，若僅將現(xiàn)有風冷或冷板式液冷服務器的進水溫度從18°C提升至45°C，GPU結(jié)溫將飆升至105°C以上，觸發(fā)降頻甚至關機。英偉達實際方案要求GPU封裝內(nèi)嵌高導熱率金屬熱柱（metal thermal pillars）、采用低熱阻相變導熱膏替代硅脂、冷板與芯片間實現(xiàn)微米級貼合公差，并將整個服務器機柜設計為壓力均衡的流體腔體。這意味著中國OEM廠商若要集成該方案，無法僅采購單顆GPU模組，而需獲取整機參考設計（包括機械結(jié)構(gòu)圖、流體壓損模型、CDU接口協(xié)議），并對自身散熱模組產(chǎn)線進行精度升級。

該技術(shù)對下游應用的影響呈現(xiàn)兩面性。在超大規(guī)模云服務商場景中，45°C液冷可顯著降低PUE（電源使用效率）中的冷卻占比——當前行業(yè)平均PUE為1.55，其中冷卻系統(tǒng)占35%以上；采用干式冷卻器替代冷卻塔后，PUE有望壓至1.15以下。但需注意，GPU芯片在高溫下漏電流增加，同等算力下功耗可能上升8–12%，因此整體能效提升取決于冷卻節(jié)電與芯片增耗的凈平衡。日本東京大學數(shù)據(jù)中心實測數(shù)據(jù)顯示，當GPU結(jié)溫從75°C升至92°C時，ResNet-50訓練任務的每瓦特AI算力（TOPS/W）下降約6.3%，這要求用戶在部署時必須重新校準算力交付模型，而非簡單套用舊有能效指標。

值得注意的是，該液冷方案與英偉達同期發(fā)布的兩款CPU形成技術(shù)呼應：面向AI數(shù)據(jù)中心的Vera處理器（450W TDP，88核Olympus定制架構(gòu)）與面向高端工作站的GB10芯片（140W TDP，10核Cortex-X925+A725混合架構(gòu)）。Phoronix基準測試顯示，Vera在多線程編譯任務中速度是GB10的6.8倍，Stream內(nèi)存帶寬測試高出2.3倍，印證其為高密度液冷環(huán)境深度優(yōu)化——其封裝背面集成微通道冷板接口，支持與服務器冷板直連；而GB10仍采用標準LGA插槽設計，適配風冷塔式工作站。這表明英偉達正將芯片級熱設計與基礎設施層解耦，Vera本質(zhì)是‘為45°C液冷而生’的專用計算單元。

對中國產(chǎn)業(yè)鏈而言，該方案帶來三類現(xiàn)實關注點：第一，冷卻液配方中的食品級丙二醇（propylene glycol）在國內(nèi)年產(chǎn)能約35萬噸，但高純度（≥99.9%）、低電導率（