德國(guó)英飛凌科技公司（Infineon）宣布，將在歐洲建設(shè)全球首個(gè)面向下一代氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的大規(guī)模制造設(shè)施，該產(chǎn)線將采用300毫米晶圓工藝。作為該項(xiàng)目的一部分，英飛凌計(jì)劃到2034年在奧地利菲拉赫（Villach）現(xiàn)有潔凈室設(shè)施中投入約11億歐元。通過(guò)利用并升級(jí)現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施，公司將實(shí)現(xiàn)制造產(chǎn)能的高效且具成本效益的擴(kuò)張。

該工廠預(yù)計(jì)將于2027年底前啟動(dòng)生產(chǎn)。英飛凌此次投資旨在應(yīng)對(duì)高性能電源解決方案需求的快速增長(zhǎng)。氮化鎵材料能夠顯著提升眾多應(yīng)用場(chǎng)景的能效，包括人工智能數(shù)據(jù)中心、能源基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)出行、機(jī)器人及消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

在晶圓尺寸方面，300毫米晶圓芯片產(chǎn)量較傳統(tǒng)的200毫米提升2.3倍，工藝更先進(jìn)且效率更高。英飛凌兩年前已成功實(shí)現(xiàn)全球首批300毫米氮化鎵晶圓的加工處理，此次將把該技術(shù)轉(zhuǎn)移至首座面向客戶的高容量制造基地。

市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模到2031年將達(dá)到約35億美元，2025年至2031年間的年復(fù)合增長(zhǎng)率約為35%。該項(xiàng)目建設(shè)已獲得《歐洲芯片法案》支持，歐盟委員會(huì)批準(zhǔn)了3.19億歐元的國(guó)家援助資金，奧地利聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)事務(wù)部預(yù)計(jì)將在規(guī)定期限內(nèi)完成正式資金承諾。

英飛凌表示，此舉將強(qiáng)化歐洲半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)與技術(shù)主權(quán)，推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在人工智能、能源、電動(dòng)出行和機(jī)器人等關(guān)鍵領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。目前，英飛凌奧地利公司共有員工約5800人，其中菲拉赫廠區(qū)約占4800人。該投資將進(jìn)一步鞏固菲拉赫作為功率電子與新型半導(dǎo)體材料全球競(jìng)爭(zhēng)力中心的地位。

資料來(lái)源：Saur Energy；原文發(fā)布日期：2026-10-27。本文為資料編譯。