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開關(guān)電源中的開關(guān)元件-功率晶體管、可控硅和場效應(yīng)管都在看工作方面取得了成績。但是引人注目的是功率管IGBT復(fù)合管，MOSFET場效應(yīng)管的出現(xiàn)，它不僅開關(guān)到1MHz-1GHz，而且開關(guān)特性好，所需驅(qū)動功率小，不存在二次就穿，能防止熱奔等特殊優(yōu)點。

　　另外大電流肖特基勢壘的出現(xiàn)大大改善了低電壓電流開關(guān)電源的整流效率，它具有開關(guān)速度快、反向恢復(fù)時間短，正向壓降地等優(yōu)點。在濾波過程中，電容器等器件也要在材料、結(jié)構(gòu)工藝諸方面進(jìn)行研制，以適應(yīng)開關(guān)電源高頻化的要求。

　　5）全數(shù)字化控制：開關(guān)電源的控制已經(jīng)由模擬控制，模數(shù)混合控制，進(jìn)入到全數(shù)字控制階段。全數(shù)字控制是一個新的發(fā)展趨勢，已經(jīng)在許多功率變換設(shè)備中得到應(yīng)用。但是過去數(shù)字控制在DC/DC變換器中用得較少。兩年來，開關(guān)電源的高性能全數(shù)字控制芯片已經(jīng)，費用也已降到比較合理的水，并制造出開關(guān)變換器的數(shù)字控制芯片及。

　　全數(shù)字控制的優(yōu)點是：數(shù)字信與混合模數(shù)信相比可以標(biāo)定更小的量，芯片價格也更低廉；對電流檢測誤差可以進(jìn)行的數(shù)字校正，電壓檢測也更；可以實現(xiàn)快速，靈活的控制設(shè)計。參考文獻(xiàn)[1]（美著）王志強譯.開關(guān)電源[M].。