ESD測(cè)試在芯片和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中是一項(xiàng)很重要的指標(biāo)，通常暴露在外面的接口更要注意靜電防護(hù)。靜電放電以及緊跟其后的電磁場(chǎng)變化，可能危害電子設(shè)備的正常工作。為了保證集成電路產(chǎn)品的良率，提高可靠性，需要對(duì)集成電路ESD防護(hù)能力進(jìn)行測(cè)試。

ESD測(cè)試的方法

1.人體模擬靜電放電（HBM）測(cè)試。測(cè)試人員模擬人體放電過(guò)程，將電荷通過(guò)人體以特定的方式傳遞給要測(cè)試的設(shè)備。

2.機(jī)器模擬靜電放電（MM）測(cè)試。使用特定的電流脈沖模擬機(jī)器放電，以評(píng)估電子設(shè)備的ESD耐受性。

3.元件充電模式（CDM，Charge DeviceModel）是指因摩擦或者其它因素在IC器件內(nèi)部積累了靜電電荷，由于不存在電荷泄放通路，因此在積累的過(guò)程中沒(méi)有對(duì)IC器件產(chǎn)生損傷.

人體放電模式（HBM)

在HBM測(cè)試中，測(cè)試人員使用靜電發(fā)生器或其他設(shè)備，通過(guò)模擬人體的電容和電阻等參數(shù)，將電荷傳遞到要測(cè)試的設(shè)備上。這種放電過(guò)程通常會(huì)在幾百納秒（ns）的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培（A）的瞬間放電電流，以評(píng)估設(shè)備對(duì)靜電放電的耐受能力。

HBMESD靜電敏感度等級(jí)

機(jī)器放電模式（MM)

在MM測(cè)試中，模擬機(jī)器本身的靜電累積，當(dāng)機(jī)器接觸到待測(cè)設(shè)備時(shí)，靜電通過(guò)設(shè)備的引腳放電。由于大多數(shù)機(jī)器由金屬制成，其等效電阻為0Ω，等效電容為200pF。因此，放電過(guò)程非常短暫，通常在幾毫微秒到幾十毫微秒之間，會(huì)產(chǎn)生數(shù)安培的瞬間放電電流。

MMESD靜電敏感度等級(jí)

元件充電模式（CDM)

電子元器件在生產(chǎn)運(yùn)輸過(guò)程中因?yàn)槟ゲ粱蚱渌蚨谠?nèi)部積累了靜電，但在靜電積累的過(guò)程中元件沒(méi)有快速釋放電荷的過(guò)程，所以本身并未受到損傷。這種帶有靜電的元件的管腳接近或者觸碰到導(dǎo)體或人體時(shí)，元件內(nèi)部的靜電便會(huì)瞬間放電，此種模式的放電時(shí)間可能只在幾ns內(nèi)。