1.物理性質(zhì)

原子量：114.818；密度：7.31g/cm3 （20℃）（0-100℃）；熔點：156.5985℃；沸點：2072 ℃

2. 規(guī)格

4N In，純度99.99%以上，銀、鋁、砷、鎘、銅、鐵、鎂、鎳、鉛、硫、硅、錫、鉈、鋅雜質(zhì)總含量小于100ppm；

5N In，純度99.999%以上，銀、鋁、砷、鎘、銅、鐵、鎂、鎳、鉛、硫、硅、錫、鉈、鋅雜質(zhì)總含量小于10ppm；

6N In，純度99.9999%以上，鎘、銅、鐵、鎂、鉛、硫、硅、錫雜質(zhì)總含量小于1ppm；

7N In，純度99.99999%以上，銀、鎘、銅、鐵、鎂、鎳、鉛、鋅雜質(zhì)總含量小于0.1ppm。

3. 物理性狀  

顆粒、塊。

4. 用途：

主要用于制備Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體、高純合金、超低溫冷卻、晶體管基極以及鍺、硅單晶的摻雜劑、銦封、ITO、核輻射安全監(jiān)控、電接觸元件、焊料等。

5. 包裝

滌綸薄膜包裝后塑料薄膜真空封裝或聚乙烯瓶真空封裝。