半導(dǎo)體封裝高純碳黑為專為芯片、功率器件封裝場景定制的電子級(jí)特種高純炭黑，采用高溫提純工藝生產(chǎn)，嚴(yán)控金屬離子、多環(huán)芳烴、硫氯雜質(zhì)含量，符合半導(dǎo)體行業(yè)RoHS管控標(biāo)準(zhǔn)，是環(huán)氧塑封料、芯片底部填充膠、氮化鋁陶瓷散熱基板核心填充原料，廣泛解決半導(dǎo)體封裝靜電擊穿、高溫?zé)Y(jié)留黑點(diǎn)、樹脂分散團(tuán)聚等行業(yè)痛點(diǎn)，適配各類高端半導(dǎo)體器件量產(chǎn)工藝。

核心產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1. 超高純度，雜質(zhì)指標(biāo)達(dá)半導(dǎo)體級(jí)總重金屬雜質(zhì)≤5ppm，硫、氯、磷、硼微量元素深度脫除，PAHs含量＜0.5ppm，不會(huì)造成硅晶圓摻雜干擾，長期封裝使用無離子遷移、無器件漏電隱患，適配精密集成電路、功率半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)。

2. 納米超細(xì)粒徑，高分散無團(tuán)聚顆粒窄粒徑分布，表面改性親和環(huán)氧、有機(jī)硅樹脂，混料過程快速潤濕解聚，封裝膠體表面細(xì)膩無晶點(diǎn)、無麻點(diǎn)，大幅降低封裝產(chǎn)品外觀不良率。

3. 可控防靜電性能，保護(hù)芯片安全精準(zhǔn)調(diào)控導(dǎo)電閾值，穩(wěn)定維持 10?~10?Ω?cm防靜電區(qū)間，僅中和生產(chǎn)、使用過程靜電，不形成連續(xù)導(dǎo)電通路，避免 IGBT、MOSFET、存儲(chǔ)芯片被靜電擊穿報(bào)廢。

4. 高溫?zé)Y(jié)完全燃盡，無碳?xì)埩暨m配1600-1850℃陶瓷基板燒結(jié)工況，升溫過程徹底分解燃燒，氮化鋁、氮化硅陶瓷坯體無碳黑點(diǎn)、無殘留雜相，不破壞基板絕緣導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，提升陶瓷封裝基板致密性。

5. 批次性能穩(wěn)定，量產(chǎn)適配性強(qiáng)連續(xù)化提純生產(chǎn)線生產(chǎn)，每批次粒徑、純度、吸油值波動(dòng)極小，無需調(diào)整客戶原有封裝配方、混料設(shè)備，可直接批量替代進(jìn)口高純碳黑，降低原料采購成本。

主要應(yīng)用領(lǐng)域

1. 芯片封裝材料：IC 環(huán)氧塑封料、芯片底部填充膠、LED 封裝遮光導(dǎo)熱膠填充；

2. 功率半導(dǎo)體器件：IGBT 功率模塊、MOSFET、新能源車載功率器件防靜電導(dǎo)熱填料；

3. 半導(dǎo)體氮化鋁 / 氮化硅陶瓷：芯片散熱基板、半導(dǎo)體承載治具燒結(jié)助劑；

4. 電子精密密封件：半導(dǎo)體設(shè)備防靜電密封墊片、導(dǎo)熱凝膠黑色著色填充原料。

【產(chǎn)品合規(guī)與供貨說明】

本款半導(dǎo)體封裝高純碳黑可提供第三方 ICP 雜質(zhì)檢測報(bào)告、RoHS 檢測報(bào)告，15kg防潮密封包裝，全國現(xiàn)貨直發(fā)，支持試樣小批量采購、定制純度與粒徑規(guī)格，廠家直供無中間商，長期供貨穩(wěn)定，適配各大半導(dǎo)體封裝廠、電子材料配方企業(yè)批量采購需求。