深圳市2026年第一批戰(zhàn)略性新興產業(yè)專項資金項目申報指南(半導體與集成電路領域)-精品亂碼一區(qū)內射人妻無碼,歐美一級視頻精品觀看
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為做強半導體與集成電路產業(yè)集群,深圳市正式發(fā)布2026年第一批戰(zhàn)略性新興產業(yè)專項資金項目申報指南(半導體與集成電路領域),圍繞芯片設計流片、產業(yè)化攻關、創(chuàng)新平臺建設等方向給予財政扶持,助力企業(yè)突破關鍵技術瓶頸、加速成果落地轉化。華夏泰科梳理本次申報的扶持重點、申報條件與材料要求,幫助集成電路相關企業(yè)精準匹配政策,厘清項目申報要點,規(guī)避填報與評審風險,搶抓政策紅利,下文將對該申報指南核心內容展開詳細解讀。
一、集成電路設計流片扶持計劃
?。ㄒ唬┘呻娐吩O計流片
1.政策依據(jù)
《深圳市關于促進半導體與集成電路產業(yè)高質量發(fā)展的若干措施》(深發(fā)改規(guī)〔2025〕9號)第二條。
2.扶持方向
支持多項目晶圓(MPW)流片、全掩模工程產品流片。
3.扶持方式及資助金額
對于申報該類項目的,項目在提交申報材料前須已完成項目建設;項目通過專家評審后,市發(fā)展改革委予以批復立項;該類項目采取事后一次性資助方式。
?。?)對于參與晶圓制造廠多項目晶圓(MPW)流片的企業(yè)、高校和科研院所,通過專家評審后,按照流片直接費用的30%給予資助,同一單位年度總資助額不超過300萬元。
?。?)對于首次完成全掩模工程產品流片(包括自組多項目晶圓流片)的企業(yè)、高校和科研院所,且工藝制程在28納米及以下的,通過專家評審后,按照流片直接費用的30%給予資助,同一單位年度總資助額不超過1000萬元。
4.申報要求
?。?)須滿足申報通知明確的申報基本條件,詳見申報通知。
?。?)項目單位應擁有專業(yè)化的技術及管理團隊,財務制度健全,具有較高水平的研發(fā)成果和技術儲備,經營管理狀況良好。流片產品應由申報單位自主研發(fā)設計且須回片測試。
?。?)全掩模工程產品流片費用包含掩模費用和晶圓費用,且項目單位首次申請該掩模資助,晶圓應為同一批次。
?。?)實際支出費用計算時間為2025年7月1日以后,以發(fā)票日期為準。發(fā)票以美元計價的則實際支出費用按發(fā)票當天匯率進行換算。
5.申報材料
?。?)資金申請報告內容包含:項目名稱、項目單位概況、研發(fā)過程(含主要時間節(jié)點)、項目總投資、流片方式(多項目晶圓、全掩模)、流片工藝信息、芯片尺寸(Diesize)、主要測試結果。
(2)附件清單:
?、倨髽I(yè)營業(yè)執(zhí)照。
?、诙囗椖烤A(MPW)流片、全掩模工程產品流片相關費用支出明細、與相關企業(yè)簽訂的合同、財務憑證、發(fā)票、芯片測試報告等。
?、坌酒鎴D彩印縮略圖、產品外觀照片;流片方式及流片工藝信息證明材料。
?、茼椖可陥笈c建設管理承諾函和財政支持發(fā)展專項資金使用(資助)廉潔承諾書。
注:同時申報多款芯片流片補貼的,須分別提交相應的資金申報材料。
(二)國產EDA工具推廣應用
1.政策依據(jù)
《深圳市關于促進半導體與集成電路產業(yè)高質量發(fā)展的若干措施》(深發(fā)改規(guī)〔2025〕9號)第三條。
2.扶持方向
支持模擬、數(shù)字、制造、封測等集成電路EDA工具軟件國產化。
3.扶持方式及資助金額
對于申報該類項目的,在提交申報材料前須已完成項目建設;項目通過專家評審后,市發(fā)展改革委予以批復立項;該類項目采取事后一次性資助方式,對于同時申報兩項及以上不同制程EDA工具資助的企業(yè),年度資助金額上限可累加。
?。?)對購買國內企業(yè)研發(fā)的EDA工具并開展28納米及以下芯片研發(fā)制造的企業(yè),通過專家評審后,按照購買該EDA工具實際發(fā)生費用的20%給予一次性資助,單個企業(yè)年度資助金額不超過200萬元。
?。?)對購買國內企業(yè)研發(fā)的EDA工具并開展14納米及以下芯片研發(fā)制造的企業(yè),通過專家評審后,按照購買該EDA工具實際發(fā)生費用的30%給予一次性資助,單個企業(yè)年度資助金額不超過300萬元。
?。?)對購買國內企業(yè)研發(fā)的EDA工具并開展7納米及以下芯片研發(fā)制造的企業(yè),通過專家評審后,按照購買該EDA工具實際發(fā)生費用的50%給予一次性資助,單個企業(yè)年度資助金額不超過500萬元。
4.申報要求
(1)須滿足申報通知明確的申報基本條件,詳見申報通知。
?。?)項目單位應擁有專業(yè)化的技術及管理團隊,財務制度健全,具有較高水平的研發(fā)成果和技術儲備,經營管理狀況良好。
?。?)所購EDA工具應當用于有關芯片設計或制造,投片時所購EDA應處于有效許可期內,EDA工具購置時間在2025年1月1日以后,投片時間在2025年7月1日以后,以晶圓廠成功投片證明材料為準。
?。?)同時申報多項EDA工具采購補貼的,須分別完成相應的芯片設計投片,并分別提交相應的資金申報材料,同一EDA工具不得重復申請。
5.申報材料
?。?)資金申請報告
內容包含:項目名稱,項目單位概況,項目所涉及的所有EDA工具列表、許可數(shù)量、有效期,項目完成研發(fā)投片的芯片信息(流片工藝信息、芯片尺寸(Diesize)等),研發(fā)過程(含主要時間節(jié)點)、項目總投資等。
?。?)附件清單:
①企業(yè)營業(yè)執(zhí)照。
?、诰A廠成功投片證明材料、項目所涉及芯片使用國內企業(yè)研發(fā)的EDA工具的證明材料、EDA工具購置明細、采購合同、財務憑證、發(fā)票(或Invoice)等。
?、坌酒鎴D彩印縮略圖,流片方式及流片工藝信息證明材料。
?、茼椖可陥笈c建設管理承諾函和財政支持發(fā)展專項資金使用(資助)廉潔承諾書。
二、產業(yè)化扶持計劃
?。ㄒ唬└叨诵酒a品突破(IP購置)
1.政策依據(jù)
《深圳市關于促進半導體與集成電路產業(yè)高質量發(fā)展的若干措施》(深發(fā)改規(guī)〔2025〕9號)第一條。
2.扶持方向
?。?)面向AI大模型場景需求,支持突破數(shù)據(jù)中心CPU、GPU、DSP、FPGA、ASIC等專用芯片,400G以上帶寬DPU、100G以上激光器芯片、新型光電融合芯片等互聯(lián)芯片,以及高性能高能效存儲芯片。
?。?)面向AI手機、AI眼鏡、智能機器人等各類AI終端需求,研發(fā)高性能、高能效專用SoC主控芯片,支持存算一體、存內計算等新型架構處理器。
(3)面向新能源汽車萬億級市場,支持14納米及以下車規(guī)級高階智駕AI芯片、智能座艙SoC芯片、域控制器MCU、中央域控SoC/MPU芯片的國產替代。
3.扶持方式及資助金額
?。?)對購買IP開展28納米及以下制程高端芯片研發(fā)的企業(yè),通過專家評審后,按照IP購買實際支付費用的20%給予資助,單一企業(yè)年度資助金額不超過300萬元。
(2)對購買IP開展14納米及以下制程高端芯片研發(fā)的企業(yè),通過專家評審后,按照IP購買實際支付費用的30%給予資助,單一企業(yè)年度資助金額不超過500萬元。
4.申報要求
?。?)須滿足申報通知明確的申報基本條件,詳見申報通知。
?。?)實際支出費用計算時間為2025年7月1日以后,以發(fā)票日期為準。發(fā)票以美元計價的則實際支出費用按發(fā)票當天匯率進行換算。
?。?)同時申報多項IP購置補貼的,須分別完成相應的芯片流片,并分別提交相應的資金申報材料,同一IP不得重復申請。
5.申報材料
?。?)資金申請報告
內容包含:項目名稱、項目單位概況、研發(fā)過程(含主要時間節(jié)點)、項目總投資、項目使用的IP列表、基于上述IP完成投片的芯片信息(流片方式、流片工藝信息、芯片尺寸(Diesize)等)、主要測試結果等。
?。?)附件清單:
?、倨髽I(yè)營業(yè)執(zhí)照。
②需提供基于項目IP研發(fā)的芯片產品的詳細設計報告,說明IP在該芯片中的應用價值、應用方式及該芯片產品的技術先進性;IP購置明細、采購合同、財務憑證、發(fā)票(或Invoice)、芯片測試報告等相關材料。
③芯片版圖彩印縮略圖、產品外觀照片;流片方式及流片工藝信息證明材料。
?、茼椖可陥笈c建設管理承諾函和財政支持發(fā)展專項資金使用(資助)廉潔承諾書。
注:同時申報多項IP購置補貼的,須分別提交相應的資金申報材料。
(二)高端芯片產品突破(車規(guī)級認證)
1.政策依據(jù)
《深圳市關于促進半導體與集成電路產業(yè)高質量發(fā)展的若干措施》(深發(fā)改規(guī)〔2025〕9號)第一條。
2.扶持方向
面向新能源汽車萬億級市場,支持車規(guī)級高階智駕AI芯片、智能座艙SoC芯片、域控制器MCU、中央域控SoC/MPU芯片的國產替代。
3.扶持方式及資助金額
支持企業(yè)開展AEC-Q系列可靠性標準認證、ISO26262功能安全管理體系認證、AQG324車規(guī)級半導體模塊認證、ISO/TS16949體系認證等車規(guī)級認證,對取得相關認證資質的企業(yè),通過專家評審后,按照認證實際發(fā)生費用的50%給予資助,單一企業(yè)年度資助金額不超過100萬元。
4.申報要求
?。?)須滿足申報通知明確的申報基本條件,詳見申報通知。
?。?)實際支出費用計算時間為2025年7月1日以后,以發(fā)票日期為準。
5.申報材料
?。?)資金申請報告
內容包含:項目名稱、項目單位概況、認證過程(含主要時間節(jié)點)、項目總投資等。
(2)附件清單:
?、倨髽I(yè)營業(yè)執(zhí)照。
?、谛杼峁┕?產品取得相關認證資質的證明材料;開展認證的合同、發(fā)票等相關材料。
注:同時申報多項車規(guī)級認證補貼的,須分別提交相應的資金申報報告及附件。
(三)核心設備及配套零部件突破
1.政策依據(jù)
《深圳市關于促進半導體與集成電路產業(yè)高質量發(fā)展的若干措施》(深發(fā)改規(guī)〔2025〕9號)第四條。
2.扶持方向
支持開展刻蝕、薄膜沉積、量測檢測等核心設備及配套零部件技術研發(fā)。
3.扶持方式及資助金額
(1)對于我市集成電路晶圓制造產線、中試線、實驗線為國產設備提供驗證服務的,通過專家評審后,按照驗證服務費用的30%給予產線、中試線、實驗線所屬單位資助,Zui高不超過200萬元。若集成電路產線、中試線、實驗線為同一研制單位的同一型號設備提供多次驗證服務的,僅對其首次驗證服務給予資助。
?。?)對于核心設備及零部件首次投入產線使用的設備研制單位,通過專家評審后,按經評審核定的產品研發(fā)投入(僅包括用于研發(fā)的設備、材料、人力資源投入)的30%給予研制單位資助,單一型號設備及零部件Zui高不超過1000萬元,同一研制單位Zui高不超過3000萬元。
4.申報要求
(1)須滿足申報通知明確的申報基本條件,詳見申報通知。
(3)為國產設備提供驗證服務的集成電路產線、中試線、實驗線,驗證服務費用的收取日期需在2025年7月1日及以后,具體以銀行收款日期為準;核心設備及零部件首次投入產線使用的日期需在2025年7月1日及以后。
5.申報材料
(1)資金申請報告。
注:同時申報多項設備及配套零部件研發(fā)補貼的,須分別提交相應的資金申報報告及附件。
(四)關鍵制造封裝材料突破
1.政策依據(jù)
《深圳市關于促進半導體與集成電路產業(yè)高質量發(fā)展的若干措施》(深發(fā)改規(guī)〔2025〕9號)第五條。
2.扶持方向
支持開展14納米及以下先進制程光刻膠、研磨液、掩膜版等制造材料,臨時鍵合膠、聚酰亞胺、底部填充膠、封裝基板等先進封裝材料的技術研發(fā)。
3.扶持方式及資助金額
對于我市集成電路晶圓制造產線、中試線、實驗線為國產關鍵制造及封裝材料提供驗證服務的,按照驗證服務費用的30%給予產線、中試線、實驗線所屬單位資助,Zui高不超過100萬元。若集成電路產線、中試線、實驗線為同一研制單位的同一型號材料提供多次驗證服務的,僅對其首次驗證服務給予資助。
4.申報要求
?。?)須滿足申報通知明確的申報基本條件,詳見申報通知。
?。?)為國產關鍵制造及封裝材料提供驗證服務的,驗證服務費用的收取日期需在2025年7月1日及以后,具體以銀行收款日期為準。
5.申報材料
?。?)資金申請報告。
注:同時申報多項封裝材料驗證服務補貼的,須分別提交相應的資金申報報告及附件。
?。ㄎ澹└叨朔庋b測試水平提升
1.政策依據(jù)
《深圳市關于促進半導體與集成電路產業(yè)高質量發(fā)展的若干措施》(深發(fā)改規(guī)〔2025〕9號)第六條。
2.扶持方向
支持凸塊(Bump)、倒裝(FlipChip)、晶圓級封裝(WLP)、重布線(RDL)、芯粒(Chiplet)、硅通孔(TSV)、玻璃通孔(TGV)、2.5D封裝、3D封裝、混合鍵合、背面供電、扇出面板級封裝(FOPLP)、光電共封裝(CPO)等一系列先進封裝技術及配套關鍵材料的研發(fā)和產業(yè)化。
3.扶持方式及資助金額
對于申報先進封裝技術研發(fā)和產業(yè)化的項目,專家評審綜合評分60分以上的進入現(xiàn)場核查階段,通過專家評審、現(xiàn)場核查后,市發(fā)展改革委予以批復立項。項目單位須先自行投入資金組織實施項目,待項目通過驗收后,按經審計核定的項目實際研發(fā)投入(僅包括用于研發(fā)的設備、材料、人力資源投入)的30%給予資助,單個項目不超過1000萬元。該項目采取事后一次性資助方式。
4.申報要求
(1)須滿足申報通知明確的申報基本條件,詳見申報通知。
5.申報材料
資金申請報告。
三、產業(yè)鏈jianduan資源集聚扶持計劃
1.政策依據(jù)
《深圳市關于促進半導體與集成電路產業(yè)高質量發(fā)展的若干措施》(深發(fā)改規(guī)〔2025〕9號)第九條。
2.扶持方向
支持自主研發(fā),突破關鍵環(huán)節(jié)“卡脖子”技術或前沿變革性顛覆性技術。
3.扶持方式及資助金額
專家評審綜合評分60分以上的進入現(xiàn)場核查階段,通過專家評審、現(xiàn)場核查的項目,市發(fā)展改革委予以批復立項。項目單位須先自行投入資金組織實施項目,待項目通過驗收后:
?。?)對突破關鍵環(huán)節(jié)“卡脖子”技術或前沿變革性顛覆性技術的集成電路領域攻關項目,按照項目研發(fā)投入(僅包括用于研發(fā)的設備、材料、人力資源投入)的30%給予資助,單個項目Zui高不超過3000萬元。該項目采取事后一次性資助方式。
?。?)對于集成電路制造、封測、裝備、材料等領域自主研發(fā)取得突破、帶動產業(yè)優(yōu)勢資源集聚的重大項目,按照項目固定資產投資給予項目單位一定比例的資助,單個項目Zui高不超過設定金額。該項目采取分階段資助方式。
4.申報要求
?。?)須滿足申報通知明確的申報基本條件,詳見申報通知。
5.申報材料
資金申請報告。
四、創(chuàng)新能力建設扶持計劃
?。ㄒ唬┱咭罁?jù)
《深圳市關于促進半導體與集成電路產業(yè)高質量發(fā)展的若干措施》(深發(fā)改規(guī)〔2025〕9號)第八條。
(二)扶持方向
支持建設半導體與集成電路領域產業(yè)創(chuàng)新中心、IC設計流片平臺、檢測認證中心、中試驗證平臺等產業(yè)支撐平臺。
?。ㄈ┓龀址绞郊百Y助金額
1.對于成功申報國家產業(yè)創(chuàng)新中心的,給予不超過1:1的資金配套,本市配套資金和國家資助資金合計不超過項目總投資的50%,國家專項計劃另有規(guī)定的,從其規(guī)定。項目資助金額按照國家資金撥付進度分階段撥付。
2.對于建設符合我市產業(yè)布局的IC設計流片平臺、檢測認證中心、中試驗證平臺等產業(yè)支撐平臺的項目,專家評審綜合評分60分以上的進入現(xiàn)場核查階段,通過專家評審、現(xiàn)場核查后,市發(fā)展改革委予以批復立項。項目單位須先自行投入資金組織實施項目,待項目通過驗收后,按經審計核定的平臺實際建設投資(不含土建工程部分)的20%給予資助,單個平臺累計不超過3000萬元。該項目采取事后一次性資助方式。
?。ㄋ模┥陥笠?/p>
1.須滿足申報通知明確的申報基本條件,詳見申報通知。
2.項目單位應擁有專業(yè)化的技術及管理團隊,財務制度健全,具有較高水平的研發(fā)成果和技術儲備,經營管理狀況良好。
3.項目單位須具有相應的基礎條件,已有技術服務團隊總人數(shù)不少于50人,其中專職研發(fā)或技術服務人員不少于45人,相關研發(fā)、檢測及技術服務設備原值不少于3億元,相關技術服務場地面積不少于3000平方米,能為產業(yè)關鍵技術和設備的研究、開發(fā)、成果轉化等提供支撐和保障。
4.對于申報國家產業(yè)創(chuàng)新中心資金配套的,需獲得國家發(fā)展改革委批復同意立項,且國家產業(yè)創(chuàng)新中心的建設期截止日期不早于2026年6月30日。
?。ㄎ澹┥陥蟛牧?/p>
1.資金申請報告(申報國家產業(yè)創(chuàng)新中心項目配套補助的,提供報送國家發(fā)展改革委Zui終版資金申請報告)。
2.對于申報國家產業(yè)創(chuàng)新中心資金配套的項目,需提供國家發(fā)展改革委的批復文件。
3.對于建設IC設計流片平臺、檢測認證中心、中試驗證平臺的項目,需提供對外開放并用于公共服務的相關證明材料。
五、國家項目配套扶持計劃
?。ㄒ唬┱咭罁?jù)
《深圳市關于促進半導體與集成電路產業(yè)高質量發(fā)展的若干措施》(深發(fā)改規(guī)〔2025〕9號)第十條。
?。ǘ┓龀址较?/p>
支持有關單位承擔國家發(fā)展改革委開展的半導體與集成電路領域重大項目、重大技術攻關計劃和重點研發(fā)計劃。
?。ㄈ┓龀址绞郊百Y助金額
對于承擔國家發(fā)展改革委開展的集成電路領域重大項目、重大技術攻關計劃和重點研發(fā)計劃的單位,給予不超過1:1的資金配套,本市配套資金和國家資助資金合計不超過項目總投資的50%,國家專項計劃另有規(guī)定的,從其規(guī)定。項目資助金額按照國家資金撥付進度分階段撥付。
?。ㄋ模┥陥笠?/p>
1.須滿足申報通知明確的申報基本條件,詳見申報通知。
3.申報項目已獲得國家發(fā)展改革委批復同意立項,且項目的建設期截止日期不早于2026年6月30日。
?。ㄎ澹┥陥蟛牧?/p>
1.資金申請報告(提供報送國家發(fā)展改革委Zui終版資金申請報告)。
2.國家發(fā)展改革委的批復文件。
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