核心優(yōu)勢

1. 裸硅友好，支持無 BSM 芯片：同系列 TB/TA 一般更適配帶背金屬化芯片；TD 配方針對裸Si 裸硅界面優(yōu)化，省去晶圓背金屬化工序，大幅降低芯片制備成本，同時也兼容 Ag、Au、BSM 硅片。
2. 無壓燒結(jié)工藝：不需要燒結(jié)壓機(jī)，和普通固晶膠工藝流程一致，空氣或氮?dú)夥諊晒袒a(chǎn)線改造成本低，適合大批量 OSAT代工生產(chǎn)。
3. 均衡導(dǎo)熱導(dǎo)電：本體導(dǎo)熱系數(shù) 50 W/(m?K)，體積電阻率低至 1.0×10??Ω?cm，兼顧散熱與電氣導(dǎo)通，滿足中大功率器件散熱需求。
4. 長操作窗口，工藝寬容度高：點(diǎn)膠后開放時間可達(dá) 2h，工位放置時間Zui長4h，膠點(diǎn)穩(wěn)定性好、不易干邊；樹脂析出控制youxiu，引線框架無溢膠污染風(fēng)險，適合自動化高速點(diǎn)膠。
5. 較高 Tg，耐熱循環(huán)：Tg 約 101℃，模量可控、內(nèi)應(yīng)力低，CTE匹配硅與引線框架，冷熱循環(huán)、溫度沖擊下空洞率低、剪切強(qiáng)度保持率高，滿足功率封裝可靠性要求。
6. 多基材框架兼容：對銅、銀、PPF 預(yù)鍍框架、金鍍層均具備良好附著力，適配QFN、LGA、SIP、功率分立器件封裝；適用芯片尺寸Zui大 5mm×5mm。

典型物性參數(shù)

適用場景

使用注意事項(xiàng)

1. 必須嚴(yán)格按照 TDS階梯升溫固化曲線執(zhí)行，升溫速率、保溫時間直接影響銀燒結(jié)網(wǎng)絡(luò)形成、空洞率與Zui終導(dǎo)熱性能；固化氛圍可選空氣或氮?dú)狻?/li>
2. 為冷鏈材料，未開封 - 40℃冷藏保存；使用前充分回溫，防止水汽凝露造成膠漿結(jié)塊、點(diǎn)膠不良。
3. 雖然支持裸硅，但裸硅表面潔凈度要求極高，表面有機(jī)殘留、顆粒會嚴(yán)重降低剪切強(qiáng)度與長期可靠性，晶圓清洗工序不可省略。
4. 和 8068TB（100W/mK）、8068TH（150W/mK）定位區(qū)分：TD 主打裸硅兼容，導(dǎo)熱相對低一檔；TB/TH導(dǎo)熱更高，優(yōu)先用于帶背金屬化芯片，選型不要混淆。
5. 屬于半導(dǎo)體封裝專用材料，非醫(yī)療級，不可用于植入器件；操作環(huán)境需百級/ 千級潔凈車間，配套半導(dǎo)體耗材。
6. 固化后具備導(dǎo)電性，注意防止相鄰引腳短路；工藝評估階段務(wù)必做空洞率、溫度循環(huán)、高溫存儲可靠性驗(yàn)證。