手機(jī)快充芯片 ASEMI PL1167手機(jī)快充芯片-淫辱的秘書調(diào)教39メイリン モデルコレクション メイ|歐美 日韓 綜合 無(wú)碼 專區(qū)
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PL3115B的主要特性：
內(nèi)置高集成度的功率MOSFET
+/-5%恒壓調(diào)節(jié)
全電壓范圍內(nèi)精準(zhǔn)的恒流調(diào)節(jié)
去除光耦和次級(jí)恒流恒壓控制電路
內(nèi)置高精度恒流調(diào)節(jié)的線電壓補(bǔ)償
內(nèi)置變壓器電感補(bǔ)償
可編程的輸出線補(bǔ)償
可提高效率的自適應(yīng)多模式PWM/PFM控制
低啟動(dòng)電流
限流保護(hù)
內(nèi)置前沿消隱
過(guò)壓保護(hù)
良好的動(dòng)態(tài)響應(yīng)
欠壓保護(hù)
PL3369是一款原邊控制，快充芯片，用于反激式開關(guān)電源的恒流/恒壓調(diào)節(jié)器。其高度集成了功率開關(guān)，并通過(guò)去除光耦以及次級(jí)控制電路，在簡(jiǎn)化充電器/適配器等傳統(tǒng)的恒流/恒壓設(shè)計(jì)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了的電流和電壓調(diào)節(jié)。
PL3369B的復(fù)合模式的應(yīng)用使芯片能夠?qū)崿F(xiàn)低靜態(tài)功耗、低音頻噪音、高效率。滿載時(shí)芯片工作在PFM模式，隨著負(fù)載降低，芯片會(huì)逐漸進(jìn)入到綠色模式，以提高整個(gè)系統(tǒng)的效率。
PL3369B 內(nèi)部集成 VDD檢測(cè)電路，手機(jī)快充芯片，系統(tǒng)上電后，當(dāng) VDD 端電壓超過(guò)芯片的閾值電壓時(shí)，芯片開始工作并輸出 PWM 信號(hào)，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)功率 BJT管。為了防止 VDD上升過(guò)程中抖動(dòng)對(duì)芯片的影響，內(nèi)部設(shè)置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為17.5V 和 4.5V。
PL3369B具有低的啟動(dòng)電流，快充芯片，因而可以采用大的啟動(dòng)電阻以及小的 VDD電容以降低應(yīng)用中的功率損耗。
PL3369B的工作電流很低，再加上特有的復(fù)合模式控制，從而提高了系統(tǒng)的效率，特別是系統(tǒng)處于輕載條件下。
整流橋,橋堆,肖特基二極管,超快恢復(fù)二極管
電子產(chǎn)品、電力照明設(shè)備、機(jī)械設(shè)備、智能儀表、電機(jī)設(shè)備、電子元器件、汽車電子零配件、電動(dòng)車零配件、線路板、電源驅(qū)動(dòng)、舞臺(tái)電源照明設(shè)備、節(jié)能產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、研發(fā)、銷售；環(huán)保節(jié)能方案設(shè)計(jì)；合同能源管理；國(guó)內(nèi)貿(mào)易；經(jīng)營(yíng)進(jìn)出口業(yè)務(wù)。（法律、行政法規(guī)、國(guó)務(wù)院決定禁止的項(xiàng)目除外，限制的項(xiàng)目須取得許可后方可經(jīng)營(yíng)）電源驅(qū)動(dòng)、節(jié)能產(chǎn)品的生產(chǎn)。
強(qiáng)元芯是一家集科研、開發(fā)，制造、銷售為一體的高科技企業(yè)。12年專注于整流橋及肖特基二極管的研發(fā)與生產(chǎn)，致力于半導(dǎo)體行業(yè)，專注電源領(lǐng)域，我們始終秉持“產(chǎn)品精益求精”、“滿足并超越客戶需求”的經(jīng)營(yíng)理念，為客戶提供的服務(wù)；公司生產(chǎn)的全系列整流橋及肖特基二極管均通過(guò)美國(guó)UL認(rèn)證，及符合RoHS環(huán)保要求，其中整流橋系列產(chǎn)品70%出口臺(tái)灣地區(qū)，肖特基二極管已被國(guó)內(nèi)企業(yè)海信及康佳采用，品質(zhì)保證強(qiáng)元芯電子,成立于2003年5月，作為ASEMI公司在大陸...