條寬損失 (Etch bias) 過(guò)蝕刻 (Over etch) – 在平均膜厚完全蝕刻掉以后的額外蝕刻。補(bǔ)償蝕刻速率和膜厚的不均勻性。 殘留物 (Residues) – 在蝕刻和平版印刷過(guò)程中無(wú)意留下的物質(zhì)。 微掩膜（Micro-masking）--由于微粒，薄膜摻雜以及殘留物產(chǎn)生的無(wú)意留下的掩膜。 糊膠（Resist reticulation）-- 溫度超過(guò) 150攝氏度時(shí)光刻膠產(chǎn)生的燃燒和折皺。 縱橫比（Aspect ratio）-- 器件結(jié)構(gòu)橫截面深度和寬度的比率。
金屬蝕刻標(biāo)牌

通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻（photochemicaletching），指通過(guò)曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。

Zui早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，標(biāo)牌批發(fā)，也廣泛地被使用于減輕重量(WeightReduction)儀器鑲板，廣州標(biāo)牌，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。

通常鏤空蝕刻細(xì)保留線 條在 0.3mm 左右，而我公司能生產(chǎn)出 0.1mm 左右的細(xì)線條。通常表 面蝕刻能達(dá)到 0.15mm線條，蝕刻標(biāo)牌定制，而我公司能生產(chǎn)出 0.04mm 細(xì)線條。 所以叫做精細(xì)蝕刻。 精細(xì)蝕刻其工藝流程基本上與普通蝕刻一樣， 即：基材清洗——印抗蝕油墨——烘干——曝光——顯影——蝕刻——去膜 ——電鍍 基本操作如下： 1.1 圖案與菲林制作因?yàn)榫?xì)蝕刻的產(chǎn)品已進(jìn)入藝術(shù)品的范疇，所以制圖時(shí)應(yīng)將造 型、布局、色彩，特別是光線反射等諸多藝術(shù)效果的因素與生產(chǎn)工藝所允許的條件完好的結(jié)合起來(lái)。
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